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Power Semiconductor / Wide-Bandgap Device Engineer (SiC / GaN)

Firmenname für EXPERT-Mitglieder sichtbar

  • März 2026
  • März 2027
  • D-01067 Dresden
  • 50 € Stundensatz
  • Remote
  • 16.03.2026 15:51

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Projektbeschreibung

Title: Device Engineer (m/f/d) – SiC / GaN Power Semiconductors
Location: Regensburg / Warstein / Munich, Germany

Your mission

Develop and characterize next-generation SiC/GaN power devices

Optimize electrical performance, switching losses, thermal behavior, and reliability

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